近日,我司又一項發明專利獲美國專利局正式授權(專利號:US 11,004,632 B1),這是我司第7項海外專利授權,也是我司第29項發明專利。該專利主要涉及一種新型縱向磁場觸頭結構,有效解決了大容量縱向磁場觸頭結構電阻大、溫升高的難題。此技術已應用于24kV-6300A-90kA規格真空滅弧室,進一步鞏固了我司在真空滅弧室方面的技術先進地位。
京公網安備 11022802230602號